考题列表
- 单项选择题 有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5，带隙是1.2...
- 单项选择题 GaAs晶体是（）结构
- 判断题 硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
- 判断题 半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。
- 判断题 PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。
- 判断题 半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法。
- 判断题 AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。
- 单项选择题 MOSFET开关的基本工作原理是通过（）极电压来控制（）极和...
- 单项选择题 当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其（）的pn结上...
- 单项选择题 一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的（）达到了14nm量级
- 判断题 平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的。
- 判断题 所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体。
- 判断题 MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件。
- 判断题 光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小。
- 判断题 异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的。
- 判断题 XPS只能检测元素种类，无法标定元素含量。
- 判断题 AFM通常用来观测样品表面形貌。
- 判断题 TEM观测与SEM相同，对样品厚度没有要求。
- 判断题 通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
- 单项选择题 光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（）的情况。
- 单项选择题 在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）
- 判断题 提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
- 判断题 MBE只能用于III-V族化合物的生长。
- 名词解释 等离子体
- 名词解释 激活剂
- 名词解释 猝灭剂
- 名词解释 敏化剂
- 名词解释 阴极射线致发光
- 名词解释 本征吸收
- 名词解释 磁滞回线
- 名词解释 光生伏特效应
- 名词解释 非本征光电导
- 名词解释 本征光电导
- 名词解释 光生伏特效应
- 名词解释 光电导效应
- 名词解释 内光电效应
- 名词解释 外光电效应
- 名词解释 热释电效应
- 名词解释 热电效应
- 名词解释 压电效应
