单项选择题
晶圆加工的基本流程顺序为（）。
（1）切片
（2）外形整理
（3）研磨
（4）倒角
（5）清洗
（6）抛光
A.（1）（2）（3）（4）（5）（6）
B.（2）（1）（4）（3）（6）（5）
C.（1）（2）（4）（3）（5）（6）
D.（2）（1）（3）（4）（6）（5）
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单项选择题
下面哪种方式也称为湿法去胶？（）
A.等离子去胶
B.溶剂去胶
C.氧化去胶
D.三氯乙烯去胶 -
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下图属于什么光刻机？（）
A.接触式光刻机
B.步进扫描光刻机
C.分布重复光刻机
D.接近式光刻机 -
单项选择题
对于0.25um及以下的隔离技术采用以下（）方式。
A.局部氧化隔离
B.PN结隔离
C.PN结-介质隔离
D.浅槽隔离
