相关考题
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单项选择题
亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。
A.指数
B.平方
C.线性 -
多项选择题
下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是（）。
A.沟道长度L缩短
B.晶体管的VDS增大
C.源端电位升高（衬底接地）
D.增加衬底掺杂浓度 -
多项选择题
根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有（粉色为多晶硅层，绿色为有源区层，黑色为接触孔层，深绿色为金属层）（）。
A.栅与源漏区的耦合电容
B.扩散区的底板电容
C.栅-沟道电容
D.扩散区的侧壁电容
