单项选择题
对一个CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的沟道宽度之比（Wp/Wn），其开关阈值将（）；当NMOS管的阈值电压变大，对称反相器所对应的Wp/Wn应该（）。
A.增大；增大
B.减小；减小
C.增大；减小
D.减小；增大
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单项选择题
当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将（），亚阈值漏电流将（）。
A.上升，下降
B.上升，上升
C.下降，上升
D.下降，下降 -
单项选择题
亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。
A.指数
B.平方
C.线性 -
多项选择题
下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是（）。
A.沟道长度L缩短
B.晶体管的VDS增大
C.源端电位升高（衬底接地）
D.增加衬底掺杂浓度
