单项选择题
数字集成电路中的噪声来源主要有片内的（）噪声，和来自片外的（）噪声，前者与信号摆幅（），后者与信号摆幅（）。
A.耦合，电源地，无关，成正比
B.耦合，电源地，成正比，无关
C.电源地，耦合，成正比，无关
D.电源地，耦合，无关，成正比
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单项选择题
对一个CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的沟道宽度之比（Wp/Wn），其开关阈值将（）；当NMOS管的阈值电压变大，对称反相器所对应的Wp/Wn应该（）。
A.增大；增大
B.减小；减小
C.增大；减小
D.减小；增大 -
单项选择题
当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将（），亚阈值漏电流将（）。
A.上升，下降
B.上升，上升
C.下降，上升
D.下降，下降 -
单项选择题
亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。
A.指数
B.平方
C.线性
