单项选择题
一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远大于它自身的寄生电容（即不考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）。
A.增大2倍
B.缩小2倍
C.不变
D.增大4倍
E.缩小4倍
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单项选择题
数字集成电路中的噪声来源主要有片内的（）噪声，和来自片外的（）噪声，前者与信号摆幅（），后者与信号摆幅（）。
A.耦合，电源地，无关，成正比
B.耦合，电源地，成正比，无关
C.电源地，耦合，成正比，无关
D.电源地，耦合，无关，成正比 -
单项选择题
对一个CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的沟道宽度之比（Wp/Wn），其开关阈值将（）；当NMOS管的阈值电压变大，对称反相器所对应的Wp/Wn应该（）。
A.增大；增大
B.减小；减小
C.增大；减小
D.减小；增大 -
单项选择题
当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将（），亚阈值漏电流将（）。
A.上升，下降
B.上升，上升
C.下降，上升
D.下降，下降
