问答题
计算题
确定在1200℃时，由SiCl4源生长的外延层的生长速率。反应室的气相质量转移系数是hG=5cm/s，表面反应速率常数为KS=107exp（-1.9eV/kT）cm/s，CG=5*1016cm-3。如果反应温度降低2℃，生长速率将变化多少？
【参考答案】
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